2012年5月8日，推（tuī）進利（lì）用TSV(矽通孔)的三維層（céng）疊型新一代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”普及的（de）Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)宣（xuān）布，軟件行業巨頭美國（guó）微軟已加盟該（gāi）協會。

　　HMC是采用三（sān）維構造，在邏輯芯片上（shàng）沿垂直方向疊加多個DRAM芯片，然後通過TSV連接布線（xiàn）的技（jì）術（shù）。HMC的最大特征是與既有的DRAM相比，性能可以得到極大的提升。提升的原因有二，一是芯片間的布線距離能（néng）夠從（cóng）半導體封裝平攤在主板上的傳統方法的“cm”單位大幅（fú）縮小到數十μm～1mm;二是（shì）一枚（méi）芯片上（shàng）能夠形成1000～數（shù）萬個TSV，實現芯片間的多點連接。

　　微軟之所以加入HMCC，是因為正在考慮如何對應很可能會成為個（gè）人電腦（nǎo）和計算機性能提升的“內存瓶頸”問題。內存瓶頸是（shì）指隨著微處理器的性能（néng）通（tōng）過多核化不斷提升，現行架構的（de）DRAM的性能將無（wú）法滿足處理器的需要。如果不解決這個問題，就會發生即使購買計算機（jī）新產品，實際性能也（yě）得不到相應提升的情況。與（yǔ）之相比，如果把基於TSV的HMC應用於計算機的主存儲器，數據傳輸速度就能夠提高到現行DRAM的約15倍，因此（cǐ），不隻是微軟，微處理器巨頭美國英特爾等公司也在積極研究采用HMC。

　　其實，計劃采用TSV的並不隻是HMC等DRAM產品。按（àn）照半導體廠商的計劃，在今後數年間，從（cóng）承擔電（diàn）子設備輸入功能的CMOS傳感器到負責運算的FPGA和多核處理器，以及（jí）掌管產品存儲（chǔ）的DRAM和NAND閃存都將相繼導入TSV。如果計劃如期進行，TSV將擔負（fù）起輸入、運算、存儲等電子設備的主要功能。